Peak field의 위치와 최댓값은 게이트 전압에 따라 달라진다. 게이트 전압이 인가돼서 실리콘 표면이 반전되면, n+ region과 똑같은 퍼텐셜을 가진다. 따라서 gated diode를 마치 n+-p diode로 생각할 수 있다. 만약 p지역의 도핑 농도가 균일하다고 가정하면, depletion width가 n+그리고 반전 영역 밑으로 같은 두께로 형성된다 (그림4.48a)
Peak field의 위치와 최댓값은 게이트 전압에 따라 달라진다. 게이트 전압이 인가돼서 실리콘 표면이 반전되면, n+ region과 똑같은 퍼텐셜을 가진다. 따라서 gated diode를 마치 n+-p diode로 생각할 수 있다. 만약 p지역의 도핑 농도가 균일하다고 가정하면, depletion width가 n+그리고 반전 영역 밑으로 같은 두께로 형성된다 (그림4.48a)